抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

著录项

• 来源
  《电子与封装》|2019年第1期|41-4347|共4页
• 作者

  徐海铭; 洪根深; 吴建伟; 徐政; 刘国柱;

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• 作者单位

  中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

  中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

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  中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 可靠性及例行试验;
• 关键词

  埋氧; 总剂量; 加固;