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一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法

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本申请涉及一种抗辐射加固的SOI CMOS总剂量辐射性能评估方法，属于器件测试技术领域，方法包括：对于总剂量加固的SOI CMOS器件，漏极采用第一电压，源极、体极和前栅电极采用0V；将衬底subsrtate作为背栅，采用‑Vn~+Vn~‑Vn方向逐步扫描，获取正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线；获取预设总剂量辐射时，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线；根据正负向扫描过程中背栅的电流电压测试曲线，辐射前后的背栅的电流电压测试曲线以及预设对应关系，确定SOI CMOS的抗总剂量辐射性能。避免了现有技术中使用Co60伽马或者X‑Ray辐照试验时对所需器件进行封装，所需的费用和时间较多的问题。

著录项

公开/公告号CN111426930A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所;
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申请/专利号CN202010237857.0
发明设计人吴建伟;洪根深;于宗光;顾祥;谢儒彬;
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申请日2020-03-30
分类号
代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨立秋
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2023-12-17 10:46:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20200330

实质审查的生效
2020-07-17

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