宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器

王书荣; 王圩; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良

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采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1．55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15．6dB的光纤到光纤的增益、小于0．7dB的偏振灵敏度和4．2dBm的饱和输出功率．

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来源
《半导体学报》 |2005年第3期|567-570|共4页
作者
王书荣; 王圩; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良;
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作者单位

中国科学院半导体研究所光电子研发中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器;
关键词
压应变InGaAs量子阱; 张应变InGaAs准体材料; 半导体光放大器; 偏振灵敏度; 增益; 饱和输出功率;

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