1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

黄永箴; 胡永红; 于丽娟; 陈沁; 谭满清; 马骁宇

首页> 中文期刊> 《光电子．激光》 >1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。

著录项

来源
《光电子．激光》 |2006年第10期|1157-1160|共4页
作者
黄永箴; 胡永红; 于丽娟; 陈沁; 谭满清; 马骁宇;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器;
关键词
半导体光放大器(SOA); InGaAsP; 增益; 抗反射膜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器 [J] . 王书荣 ,王圩 ,刘志宏 . 半导体学报：英文版 . 2005,第3期
2. InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究 [J] . 殷景志 ,杜国同 ,龙北红 . 液晶与显示 . 2004,第002期
3. 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文) [J] . 王书荣 ,刘志宏 ,王圩 . 半导体学报：英文版 . 2004,第8期
4. 1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计(英文) [J] . 邱伟彬 ,何国敏 ,董杰 . 半导体学报：英文版 . 2003,第1期
5. AlGaInAs-InP材料系 1550nm偏振无关半导体光放大器(英文) [J] . 马宏 ,朱光喜 ,易新建 . 半导体学报：英文版 . 2004,第7期
6. 偏振不灵敏光放大器的制备及其特性 [C] . 于丽娟 ,黄永箴 ,马骁宇 . 第五届全国光子学大会 . 2004
7. 与偏振无关半导体光放大器的研制 [A] . 段子刚 . 1999

1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅