采用新的抬高源漏工艺技术制作的全耗尽SOI CMOS器件和电路(英文)

连军; 海潮和

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采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65和69mV/dec.采用抬高源漏结构的1.2μmnMOSFETs的饱和电流提高了32%,pMOSFETs的饱和电流提高了24%.在3V工作电压下101级环形振荡器电路的单级门延迟为75ps.

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来源
《半导体学报》 |2005年第4期|672-676|共5页
作者
连军; 海潮和;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
FDSOI; CMOS; 抬高源漏;

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