硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响

黄如; 王阳元

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本文分析了ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ＧＣＨＴ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常规ＳＯＩＭＯＳ器件相比，ＳＯＩ栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度，改善了深亚微米常规ＳＯＩＭＯＳ器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题。

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来源
《半导体学报》 |1999年第8期|670-675|共6页
作者
黄如; 王阳元;
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作者单位

北京大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅栅器件;
关键词
SOI; 栅控混合管; GCHT; 硅膜厚度;

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