硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

赵杰; 刘宝钧; 李建蒙

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１×１０１２到１×１０１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．

著录项

来源
《半导体学报》 |1995年第10期|766-771|共6页
作者
赵杰; 刘宝钧; 李建蒙;
展开▼
作者单位

天津师范大学物理系;

加拿大国家自然科学研究院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
离子注入; 硼; 磷化铟; 电特性; 半导体器件;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 半绝缘Inp中Si＋＋P＋双注入的电特性 [J] . 沈鸿烈 ,杨根庆 . 半导体学报 . 1990,第008期
2. 生长温度对掺CCl4半绝缘InP电性能的影响 [J] . 青春 . 电子材料快报 . 1996,第007期
3. 在P—InP衬底上制作的波长1.3um大功率高速半绝缘阻挡式V型槽内条形激光器 [J] . Horik.H ,陈栋训 . 光纤通信技术 . 1989,第004期
4. Si离子注入时半绝缘GaAs晶体中硼对其电活性的影响 [J] . 师庆华 . 发光快报 . 1995,第001期
5. 半绝缘衬底上Si掺杂InP的纳米孔腐蚀与电学性质研究 [J] . 沈秋石 ,李林 ,苑汇帛 . 长春理工大学学报（自然科学版） . 2017,第002期
6. 对N型InP做氦和氖双离子注入的电特性研究 [C] . 徐嘉东 ,李建明 ,张秀兰 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. 大直径InP 单晶制备及其半绝缘特性研究 [A] . 周晓龙 . 2010

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅