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利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文)

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给出了超薄栅 MOS结构中直接隧穿弛豫谱 ( DTRS)技术的细节描述 ,同时在超薄栅氧化层 ( 4nm)中界面 /氧化层陷阱的密度和俘获截面。

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来源
《半导体学报》 |2002年第11期|1146-1153|共8页
作者
霍宗亮; 杨国勇; 许铭真; 谭长华; 段小蓉;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
弛豫谱技术; 超薄栅MOS结构; 栅缺陷; 隧穿; MOS器件; 比例差分算符; DTRS;

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