首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si

著录项

来源
《半导体学报》 |2004年第7期|823-830|共8页
作者
昝育德; 王俊; 李瑞云; 韩秀峰; 王建华; 于芳; 刘忠立; 王玉田; 王占国; 林兰英;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
外延; CMOS; SOS; EEACC; 2560;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长 [J] . 谭利文 ,王俊 ,王启元 . 半导体学报：英文版 . 2003,第12期
2. 新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备 [J] . 王启元 ,谭利文 ,王俊 . 功能材料与器件学报 . 2003,第3期
3. γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长 [J] . 昝育德 ,王俊 ,韩秀峰 . 半导体学报：英文版 . 1998,第12期
4. Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜 [J] . 屈新萍 ,李炳宗 ,茹国平 . 半导体学报：英文版 . 1998,第9期
5. 基于Si/Si1-xGex/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算 [J] . 张乒 ,曾健平 ,文剑 . 真空电子技术 . 2005,第001期
6. 蓝宝石上硅SOS及双异质外延SOI Si/Al<,2>O<,3>/Si薄膜拉曼光谱研究 [C] . 王启元 ,邓惠芳 ,王建华 . 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 . 2003
7. InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用 [A] . 吕吉贺 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号