全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型(英文)

李瑞贞; 韩郑生

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提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的电势最小值用于监测SOIMOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOIMOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.

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来源
《半导体学报》 |2005年第12期|2303-2308|共6页
作者
李瑞贞; 韩郑生;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
全耗尽SOI; MOSFETs; 表面势; 阚值电压;

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