全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

万新恒; 张兴; 谭静荣; 高文钰; 黄如; 王阳元

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全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

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报道了全耗尽SOI MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟.讨论了抑制阈值电压漂移的方法.结果表明,对于全耗尽SOI加固工艺,辐照导致的埋氧层(BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOI MOSFET的抗辐照性能.

著录项

来源
《电子学报》 |2001年第11期|1519-1521|共3页
作者
万新恒; 张兴; 谭静荣; 高文钰; 黄如; 王阳元;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

北京大学微电子学研究所;

北京大学微电子学研究所;

北京大学微电子学研究所;

北京大学微电子学研究所;

北京大学微电子学研究所;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
SOI MOSFET; 辐照效应; 阈值电压漂移模型; 剂量率;

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