Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

宋登元; 王永青; 孙荣霞; 宗晓萍; 郭宝增

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Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

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在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜 (ZnO∶Al) .薄膜沉积在衬底温度 2 5 0℃、溅射功率 10 0W和纯氩气氛中进行 .通过在 0 2～ 3 2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响 .利用X射线衍射 (XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜 (SEM) ,发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向 .在可见光谱范围 ,pAr对透过率的影响非常小 ,薄膜的平均透过率大于 83% ,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比 .在较低的溅射气压下 (pAr=0 2Pa)获得的薄膜电阻率最小 ,对应有大的光学带隙 (3 6 1eV) .随着pAr的降低 ,晶粒尺寸增大 .pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响 .

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来源
《半导体学报》 |2002年第10期|1078-1082|共5页
作者
宋登元; 王永青; 孙荣霞; 宗晓萍; 郭宝增;
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作者单位

河北大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.21;
关键词
ZnO薄膜; 铝掺杂; 射频磁控溅射; 溅射气压; 表观形貌;

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