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赵笑昆; 李博研; 冯波;
神华(北京)光伏科技研发有限公司 北京 102211;
北京市纳米结构薄膜太阳能电池工程技术研究中心 北京 102211;
北京低碳清洁能源研究院 北京 102211;
Al掺杂ZnO; 射频磁控溅射; Ar流量; 晶粒生长;
机译:Ar离子束辅助和衬底温度对RF磁控溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜物理性能的影响
机译:射频磁控溅射沉积Al掺杂ZnO透明导体的电学和光学性质对O_2 / Ar气体流量比的影响
机译:添加氧和衬底温度对射频磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜织构生长的影响
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:直流磁控溅射性能的改进含保留Ar原子的Al掺杂ZnO多晶膜10nm厚的缓冲层
机译:磁控溅射沉积al掺杂ZnO薄膜:溅射参数对电学和光学性能的影响
机译:(38)ar示踪剂的第一性原理校正:对211(40)ar /(39)ar流量监测器的年龄的影响
机译:制备Al掺杂的ZnO薄膜的方法
机译:磁控溅射法掺杂金属的ZnO薄膜的方法
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
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