纯Ar气氛中退火对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

汪冬梅; 吕珺; 徐光青; 吴玉程; 郑治祥

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纯Ar气氛中退火对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

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用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜,并对薄膜在纯氩气中进行了400-600℃的退火处理。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究。研究表明,纯氩气中退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响。原位沉积的薄膜电阻率2.59Ωcm,可见光区透过率约70%。500℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力达到最小,接近于松弛状态;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到80%左右;而薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ωcm降低到1.13Ωcm。

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来源
《材料热处理学报》 |2007年第4期|46-50|共5页
作者
汪冬梅; 吕珺; 徐光青; 吴玉程; 郑治祥;
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作者单位

合肥工业大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜; 退火处理; 结晶性能; 透光率; 电阻率;

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