退火真空度对Sn-Al共掺杂ZnO薄膜性能的影响

刘涛

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退火真空度对Sn-Al共掺杂ZnO薄膜性能的影响

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采用溶胶-凝胶工艺制备出高可见光透过率、低电阻率的Sn-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜(ZASO薄膜),分析了退火真空度对薄膜的晶体结构、光电性能的影响.结果表明:真空退火不改变ZnO晶体的本质,但退火真空度对薄膜光电特性有显著影响.退火真空度越高方块电阻越小,在较高真空环境中退火得到的ZASO薄膜方块电阻可低至0.7 kΩ·□-1.高真空退火时,薄膜的透光率较高,可见光平均透过率可达93%左右.

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来源
《商洛学院学报》 |2016年第6期|20-22,33|共4页
作者
刘涛;
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作者单位

商洛学院电子信息与电气工程学院,陕西商洛 726000;

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正文语种 chi
中图分类 TB383.2;
关键词
溶胶-凝胶; Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO); 真空度;

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