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邓盛凌; 黄永箴; 金潮渊; 于丽娟;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
量子点激光器; 多能级; 增益谱; 温度依赖;
机译:基于活化合金相分离形成的InAs / GaAs量子点的长波长激光器的增益和阈值特性
机译:980 nm InGaAs / GaAs压缩应变量子阱激光器的光增益和阈值电流密度分析
机译:GalnNAs / GaAs / AIGaAs量子阱激光器的光学增益和阈值电流密度的热依赖性
机译:量子点激光器阈值电流密度与温度的关系的理论分析
机译:增益导引的GaAs量子阱半导体激光器的表征
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:量子阱压缩应变高于1%对I型Gasb基二极管激光器的差分增益和阈值电流密度的影响
机译:长腔多段增益 - 量子点激光器的表征与动力学分析。
机译:量子级联激光器中用于抑制电子泄漏和降低阈值电流密度的多量子阱结构
机译:量子点波长转换器,制造量子点波长转换器的方法以及包括量子点波长转换器的发光装置
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