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一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构

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本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构，来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度，增加对载流子的俘获能力，对量子点分布的均匀性也有所改善，增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点，能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动，波长可以覆盖1.5μm，从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性，易于与现有光电子器件集成等特点，GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景，对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。

著录项

公开/公告号CN104037618B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人吉林农业大学;
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申请/专利号CN201410172871.1
发明设计人尤明慧;于新雨;李占国;刘景圣;李士军;欧仁侠;高欣;樊娟娟;孙启响;于秀玲;李雪;梁雪梅;史明非;孙连志;
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申请日2014-04-22
分类号
代理机构
代理人
地址 130033 吉林省长春市新城大街2888号
入库时间 2022-08-23 09:51:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/343 授权公告日:20170118 终止日期:20170422 申请日:20140422

专利权的终止
2017-01-18

授权

授权
2017-01-18

授权

授权
2016-10-26

著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/343 变更前: 变更后: 申请日:20140422

著录事项变更
2016-10-26

著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/343 变更前: 变更后: 申请日:20140422

著录事项变更
2014-10-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20140422

实质审查的生效
2014-10-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20140422

实质审查的生效
2014-09-10

公开

公开
2014-09-10

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