快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究

黄宜平; C.A.Paz de Araujo

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在卤素钨灯和弧光灯二种不同辐射热源的快速热工艺系统中用快速热工艺氧化法制备了超薄(20埃-400埃)的SiO_2薄膜.对快速热工艺氧化的生长动力学进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能.对二种不同快速热工艺系统所得结果作了比较.本文还讨论了快速热工艺氧化中,温度骤变过程的氧化效应.最后,本文提出了“温度骤变(Temperature Ramp-only)快速热氧化”技术,该技术特别适于制备20埃到60埃的超薄SiO_2层.

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来源
《半导体学报》 |1989年第4期|294-300|共7页
作者
黄宜平; C.A.Paz de Araujo;
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作者单位

复旦大学电子工程系;

美国科罗拉多大学电机系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
氧化硅; 氧化法; 激活能; 薄膜生长;

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