光电子材料铝镓铟磷的椭偏研究

连洁; 王青圃; 魏爱俭; 李平; 王玉荣; 张晓阳; 秦晓燕

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光电子材料铝镓铟磷的椭偏研究

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在室温下 ,运用反射椭偏光谱技术 ,对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷 (掺硅 )两样品进行了研究 .测得它们在可见光区的光学常数 ,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系 .对样品的介电函数虚部谱进行数值微分 ,得到它们的三级微商谱 .通过对样品的吸收系数谱和介电函数虚部的三级微商谱的分析 ,得到两样品的带隙Eg,Eg+Δ0 和Eg 以上成对结构跃迁的能量位置及间隔 .将Eg 和Eg+Δ0 的值与计算值和已发表的值比较 ,符合较好 ,但存在小的差异 .分析发现 ,样品存在有序结构是引起差异的主要原因 .根据椭偏测量的数据 ,用有效介质近似理论计算了样品中铝的组分 ,并与X射线微区分析的测量结果加以比较 ,二者一致 .

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来源
《山东大学学报：理学版》 |2002年第4期|324-328|共5页
作者
连洁; 王青圃; 魏爱俭; 李平; 王玉荣; 张晓阳; 秦晓燕;
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作者单位

山东大学信息科学与工程学院;

山东大学晶体材料所;

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正文语种 chi
中图分类材料和工作物质;
关键词
光电子材料; 铝镓铟磷; 反射椭偏光谱技术; 带隙; 吸收系数; 介电函数; 半导体化合物; 光子能量; 三级微商谱;

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