利用二次离子质谱法对氢在SiC-C涂层中热稳定性的研究

张瑞谦; 任丁; 黄宁康; 曾俊辉; 杜良; 张东; 王春芬

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利用Ar+离子束轰击混合沉积技术(ion beam mixing)在不锈钢基体上制备在不锈钢和碳钢基体上沉积SiC-C涂层,并然后对样品进行加后热处理热去氩处理(400℃/30min),再用5keV的氢离子辐照样品.最后对部分氢离子辐照后的样品进行加热处理(300℃/20min,600℃/20min,900℃/20min),以观察氢在SiC-C涂层中的热稳定性.通过和二次离子质谱仪(SIMS)H元素深度分布和正离子质谱分析,研究氢元素在SiC-C涂层中和在不同基团中的热稳定性后热处理.结果表明,在300℃高温条件下在SiC-C涂层中的氢含量下降不多;随着温度的升高,600℃时氢含量已有明显下降;900℃时氢已从SiC-C涂层中逃逸.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2006年第6期|1322-1326|共5页
作者
张瑞谦; 任丁; 黄宁康; 曾俊辉; 杜良; 张东; 王春芬;
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作者单位

四川大学原子核科学技术研究所.教育部辐射物理和技术重点实验室;

中国工程物理研究院核物理与化学研究所;

洛阳船舶材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
SiC-C涂层; 阻氢; 去氩后热处理SIMS; 热稳定性;

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