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洪根深; 廖勇明; 廖伟; 丁元力; 邬瑞彬; 刘洪军; 龚敏;
四川大学物理系;
6H-SiC; 费米能级钉扎; 欧姆接触;
机译:高电子迁移率晶体管的非合金欧姆接触使用Ge钝化金属-中间层-半导体结构的费米能级钉扎
机译:在n硅金属绝缘体半导体欧姆接触中使用还原的二氧化钛中间层来降低费米能级钉扎和降低接触电阻
机译:用于低电阻欧姆接触的金属有机半导体界面处的费米能级钉扎
机译:所有外延模式和电流受限的半导体激光器均使用选择性费米能级钉扎。
机译:高k电介质对石墨烯的化学诱导费米能级钉扎效应
机译:使用外延生长的超薄MgO膜研究Ge肖特基结中费米能级钉扎的起源
机译:通过表面蚀刻有意识地改变n型碲化镉/电解质界面的行为:去除费米能级钉扎
机译:(110)表面取向,用于减少高K电介质和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级钉扎
机译:用于半导体器件的费米能级非钉扎结构,其形成过程以及包含该结构的系统
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