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一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法

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一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。

著录项

公开/公告号CN108335984B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201810135795.5
发明设计人杨剑群;李兴冀;李何依;刘勇;
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申请日2018-02-09
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人岳泉清
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 11:37:38

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