衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响

孙奉娄; 惠述伟

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衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响

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利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3Ω.cm、透过率为84%,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.

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来源
《中南民族大学学报：自然科学版》 |2009年第2期|10-13|共4页
作者
孙奉娄; 惠述伟;
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作者单位

中南民族大学等离子体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
ZAO薄膜; 衬底温度; 电阻率; 透过率;

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