首页> 中文期刊> 《东南大学学报：自然科学版》 >亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法

亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .

著录项

来源
《东南大学学报：自然科学版》 |2000年第1期|62-67|共6页
作者
吴金; 杨廉峰; 刘其贵; 夏君; 魏同立;
展开▼
作者单位

东南大学微电子中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
硅化锗; HBT; 输运模型; 物理模型; 数值模拟; 离散; 线性化; 半导体器件;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT [J] . 沈珮 ,张万荣 ,谢红云 . 功能材料与器件学报 . 2009,第1期
2. GeSi—HBT研究报告 [J] . 郑宜钧 ,王迅 . 微电子技术 . 1993,第006期
3. 锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 [J] . 韩平 ,胡立群 ,王荣华 . 固体电子学研究与进展 . 1992,第4期
4. SiGe HBT异质结势垒高度物理模型研究 [J] . 王生荣 ,戴广豪 ,李文杰 . 微电子学 . 2006,第5期
5. 适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型 [J] . 颜渝瑜 ,钱晓州 . 微电子学 . 1997,第4期
6. 多指功率GeSi HBTs的非等值发射极镇流电阻优化设计 [C] . 邱建军 ,张万荣 ,高攀 . 中国电子学会第十二届全国青年学术年会 . 2006
7. 高热稳定性的功率GeSi HBT的设计和研制 [A] . 邱建军 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号