等离子体增强技术在镀铜玻璃衬底上低温制备GaN薄膜

李昱材; 苏媛媛; 赵琰; 宋世巍; 王健; 王刚; 唐坚; 刘嘉欣; 张东

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cqvip:以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)分别作为镓和氮反应源,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术在镀铜玻璃衬底上沉积出氮化镓(GaN)薄膜,采用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试手段,表征分析TMGa流量对GaN薄膜的结晶性能、光学性能及表面形貌特性的影响。结果表明,TMGa流量对所制备的薄膜性能的影响很大, TMGa体积流量为1.4 mL/min时,GaN薄膜具有较强的c轴择优取向和良好的表面光滑度,晶粒较大且均匀,室温PL光谱显示在354 nm处有较高强度的光致发光峰,因带隙调制而产生光学带隙的蓝移。

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来源
《济南大学学报（自然科学版）》 |2020年第3期|218-223|共6页
作者
李昱材; 苏媛媛; 赵琰; 宋世巍; 王健; 王刚; 唐坚; 刘嘉欣; 张东;
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作者单位

沈阳工程学院新能源学院辽宁沈阳 110136;

沈阳工程学院辽宁省新能源光电材料制备与分析工程研究中心辽宁沈阳 110136;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
氮化镓薄膜; 等离子体增强技术; 镀铜玻璃衬底;

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