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6H-SiC衬底上利用梯度AlxGa1-xN制备高质量GaN薄膜

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本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影响,做了三个系列实验,在保持AlN缓冲层和GaN薄膜生长条件一致的前提下,分别改变AlxGa1-xN层生长温度,厚度和生长速率.通过优化AxGa1-xN层生长条件,GaN薄膜(0002)和(10-12)摇摆曲线半峰宽达到238arcsec和298arcsec,并具有良好的光学特性.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|179|共1页
会议地点苏州
作者
黄振; 邓高强; 李宝珠; 张源涛; 张宝林; 杜国同;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.05;
关键词
氮化镓薄膜; 制备工艺; 材料质量; 应力特性;

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