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【24h】

High-Quality (211)B CdTe on (211)Si Substrates Using Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

机译：利用金属有机气相外延在（211）Si衬底上制备高质量（211）B CdTe

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High-quality (211)B CdTe buffer layers are required during Hg_(1-x)Cd_(x)Te heteroepitaxy on Si substrates. In this study, direct metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) of (211)B CdTe on Si, as well as CdTe on Si using intermediate Ge and ZnTe layers, has been achieved. Tertiary butyl arsine was used as a precursor to enable As surfactant action during CdTe MOVPE on Si. The grown CdTe/Si films display a best x-ray diffraction rocking-curve full-width at half-maximum of 64 arc-s and a best Everson etch pit density of 3 X 10~(5) cm~(-2). These values are the best reported for MOVPE-grown (211)B CdTe/Si and match state-of-the-art material grown using molecular-beam epitaxy.
机译：在Si衬底上Hg_（1-x）Cd_（x）Te异质外延期间，需要高质量（211）B CdTe缓冲层。在这项研究中，已经实现了在硅上的（211）B CdTe以及使用中间Ge和ZnTe中间层在Si上的CdTe的直接金属有机气相外延（MOVPE）。叔丁基a用作前体，以使CdTe MOVPE上的As表面活性剂在Si上起作用。生长的CdTe / Si薄膜在最大半个数为64 arc-s时显示出最佳的X射线衍射摇摆曲线全宽度，并且最佳的Everson蚀刻凹坑密度为3 X 10〜（5）cm〜（-2）。这些值是MOVPE生长的（211）B CdTe / Si的最佳记录，并且与使用分子束外延生长的最新材料相匹配。

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