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在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结

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为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对薄膜相变的影响。通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行了表征,结果表明当退火温度低于500℃,薄膜为非晶态；当退火温度为500℃-900℃,非晶薄膜相变为B-FeSi2;且最佳退火温度为900℃；退火温度高于1OOO℃,薄膜相变为金属相的α-FeSi2。通过扫描电镜得到900℃退火5min样品的表面形貌和截面图。通过近红外分光光度计得到β-FeSi2薄膜的透射谱,采用外推法得出薄膜的光学带隙为0.88eV。

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来源
《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》|2012年|494-497|共4页
会议地点开封
作者
Rudai Quan; 全汝岱; Xin He; 贺欣; Hongbin Pu; 蒲红斌; Zhiming Chen; 陈治明;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
半导体材料; 碳化硅衬底; 异质结薄膜; 制备工艺; 性能评价;

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