间接耦合光电探测结构光致负阻效应的物理模型

陈长清; 何民才; 辛火平; 陈炳若

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系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象．在对这些实验现象综合分析的基础之上，提出了一种由一横向ＰＮＰＮ四重结构与一纵向ＮＰＮ管相互作用所产生的负阻效应的新模型．利用负阻峰域载流子特殊的输运机制，设计和研制出了上升、下降时间均为２ｎｓ左右，内部电流增益大于３０倍的硅光电探测单元器件．

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来源
《武汉大学学报：理学版》 |1994年第3期|55-60|共6页
作者
陈长清; 何民才; 辛火平; 陈炳若;
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作者单位

武汉大学物理学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电管;
关键词
光致负阻; 间接耦合; 光电探测器件;

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