反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率

吕振林; 熊流峰; 高积强; 金志浩

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反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率

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研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023 Ω*cm).经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1 800 ℃除硅处理后,显微组织中还发生了βSiC向αSiC的转变.

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来源
《西安交通大学学报》 |1999年第4期|48-51|共4页
作者
吕振林; 熊流峰; 高积强; 金志浩;
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作者单位

西安交通大学,710049,西安;

西安交通大学,710049,西安;

西安交通大学,710049,西安;

西安交通大学,710049,西安;

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正文语种 chi
中图分类原料和辅助物料;
关键词
碳化硅; 反应烧结; 电阻率;

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