GaAs MESFET器件数值模似的预优共轭梯度法

朱维宝; 陈贵灿

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GaAs MESFET器件数值模似的预优共轭梯度法

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用传统的牛顿法对GaAs MESFET器件进行数值模拟,由于发散而并不成功。本文采用在不精确线性搜索条件下仍具下降性与收敛性的Fletcher-Reeves共轭梯度法,求解由非线性方程组转化成的非线性最小二乘问题。为使方法能在不同的二次区域形成共轭性较好的搜索方向,方法采用了重开始准则。为加快收敛速度,对目标函数采用了逐步预优的方法。为减少存储量,预优矩阵由Broyden修正公式产生,且不存储修正矩阵,计算结果表明方法稳定,收敛较快,数值结果与实验结果基本相符。

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来源
《西安交通大学学报》 |1992年第4期|19-24,60|共7页
作者
朱维宝; 陈贵灿;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类结构、器件;
关键词
数值模拟; Mesfet; 砷化镓;

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