单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

卢刚; 李静

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单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

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建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影向,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法.计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定.

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来源
《西安理工大学学报》 |2007年第4期|375-378|共4页
作者
卢刚; 李静;
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作者单位

西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;

西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN3024;
关键词
单电子存储器; Monte Carlo模拟; 存储时间;

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