首页> 中文期刊> 《厦门大学学报：自然科学版》 >异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应

异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．

著录项

来源
《厦门大学学报：自然科学版》 |1994年第1期|31-35|共5页
作者
陈世帛; 周必忠; 王加宽; 闵惠芳; 王振英;
展开▼
作者单位

厦门大学物理学系;

中国科学院上海冶金研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类太阳能电池;
关键词
异质面; 隧穿效应; 太阳能电池;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量 [J] . 陈世帛 ,周必忠 ,王加宽 . 厦门大学学报：自然科学版 . 1994,第4期
2. 新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性 [J] . 史衍丽 ,邓军 ,杜金玉 . 半导体学报：英文版 . 2001,第4期
3. Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流-温度特性及其比较 [J] . 丁国庆 . 半导体技术 . 1991,第6期
4. InGaAs／InGaAsP／InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性 [J] . 丁国庆 . 光通信研究 . 1990,第004期
5. p—InGaAlP／p—GaAs异质结构的电流—电压特性 [J] . 周华 . 发光快报 . 1993,第006期
6. AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性 [C] . 赵永林 ,李献杰 ,蔡道民 . 二〇〇六年全国光电技术学术交流会 . 2006
7. 隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究 [A] . 焦广泛 . 2012

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号