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脉冲MOS电容器中具有场增强特征载流子产生的一种物理解释

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建立了一种解释脉冲MOS电容器中具有场增强特征的载流子产生的方法.与以往理论不同的是,本文考虑到了来自陷阱中心的载流子非库仑发射的贡献,能更好地解释实验结果。

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来源
《厦门大学学报：自然科学版》 |1993年第s2期|105-106|共2页
作者
张秀淼;
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作者单位

杭州大学电子工程系;

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正文语种 chi
中图分类连续性出版物;
关键词
MOS电容; 陷阱中心; 场增强产生;

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