弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真

戴显英; 郑若川; 郭静静; 张鹤鸣; 郝跃; 邵晨峰; 吉瑶; 杨程

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基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。

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来源
《西安电子科技大学学报》 |2012年第5期|186-191|共6页
作者
戴显英; 郑若川; 郭静静; 张鹤鸣; 郝跃; 邵晨峰; 吉瑶; 杨程;
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作者单位

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类流体力学;
关键词
弛豫锗硅; 减压化学气相淀积; 计算流体动力学模型; 密度分布;

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