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碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术

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摘要

简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中，对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．

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来源
《西安电子科技大学学报》 |1998年第5期|659-663|共5页
作者
柴常春; 杨银堂; 朱作云; 李跃进;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
碳化硅; 干法刻蚀; 制造工艺;

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