热处理对富碳氢化非晶碳化硅薄膜阻氢性能的影响

姜辉; 任丁

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针对热处理对a-Si C:H薄膜的氢扩散和热稳定性的影响,利用二次离子质谱(SIMS)和傅立叶红外谱(FTIR)来分析氢的深度分布和薄膜中Si Hn和CHn的变化。结果表明,在473 K到773 K范围内,经过热处理的a-Si C:H薄膜能够有效地延缓氢扩散,从而提高阻氢性能,但是在热稳定方面有所退化。

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来源
《盐城工学院学报：自然科学版》 |2016年第2期|40-44|共5页
作者
姜辉; 任丁;
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作者单位

盐城师范学院新能源与电子工程学院;

辐射物理与技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放射性物质的包装、运输和贮存;热核反应堆安全与环境;
关键词
热稳定; 氢扩散; a-SiC; H薄膜; 氢;

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