飞秒激光微构造硅二极管Ⅰ-Ⅴ特性研究

李媛; 赵利

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在一定条件下SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生微米量级的尖峰结构.退火后用ALD在微构造硅表面上沉积50 nm的ZnO:Al电极,背面镀上Al电极形成二极管,测试二极管的光吸收特性及Ⅰ-Ⅴ特性.研究表明微构造硅二极管在宽波段范围内有明显增强的光吸收.在整个测量范围(250 nm到2500 nm)可以达到0.85以上,并且光吸收随着尖峰高度的增加而增加.通过测量微构造硅二极管的I-V特性曲线,发现微构造硅二极管存在良好的整流特性,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域.

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来源
《运城学院学报》 |2016年第3期|36-38|共3页
作者
李媛; 赵利;
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作者单位

运城学院物理与电子工程系,山西运城044000;

复旦大学物理系,上海200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学计量;
关键词
飞秒激光微构造硅; 二极管; 光吸收; Ⅰ-Ⅴ特性;

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