As(Ⅴ)催化H2O2氧化CdTe-Cys-QDs磷光传感器测定砷(Ⅴ)

刘峰

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CdTe-Cys-QDs在聚酰胺素膜(PAM)上能发射强而稳定的室温磷光(RTP),并可被H2O2氧化为CdTe-Cys-QDs,结果使CdTe-Cys-QDs的表面新的缺陷增多,导致其磷光信号猝灭;更有趣的是As(Ⅴ)催化H2O2氧化CdTe-Cys-QDs导致体系的RTP剧烈猝灭,显示催化反应对RTP信号有放大效应.据此,提出一种测定痕量As(Ⅴ)的新CdTe-Cys-QDs磷光传感器.这种简便、快捷、灵敏(检出限(LD)=2.1×10-18 g mL-1)的磷光传感器用于人发和茶叶中痕量砷的测定结果与与AAS法相吻合.

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来源
《漳州师范学院学报（自然科学版）》 |2017年第1期|61-67|共7页
作者
刘峰;
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作者单位

漳州职业技术学院食品与生物工程系,福建漳州363000;

农产品深加工及安全福建省高校应用技术工程中心,福建漳州363000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类第Ⅳ族金属元素及其化合物;
关键词
CdTe-Cys-QDs量子点; 结构表征; 砷As(Ⅴ); 磷光传感器;

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