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杨凤昌;
郑州纺织工学院基础部;
横向漂移; 回旋频率; 平均自由时间;
机译:优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件的栅极到漂移的重叠长度,以提高热载流子的寿命
机译:电磁场中两个电磁场的谱漂移函数的半经典分析
机译:评估位于实际材料环境中的扩展天线设备和系统的电磁场的纵向和横向电磁场之间的关系,其电气参数会随气候条件而季节性变化
机译:温度和浓度对漂移漂移的依赖性存在以下元素时,超重掺杂n-Si中的大多数载流子缺陷和错位
机译:通过选择性混合,将载流子横向限制在垂直腔激光器中。
机译:石墨烯一种用于高温器件的材料–固有载流子密度载流子漂移速度和晶格能
机译:具有量子阱的p-SiGe / Si异质结构中光生电荷载流子的横向漂移
机译:具有平行电磁场的大圆柱漂移室(TpC)中电子漂移和扩散特性的测量
机译:如果漏极电压低于栅极隔离器击穿电压,则CMOS兼容的横向DMOS晶体管的漂移空间区域将耗尽自由电荷载流子
机译:绝缘体半导体组件上的横向硅具有横向开关单元,横向开关单元的漂移区与热冷却单元相连,该散热单元散发了漂移区的热量损失,在漂移区产生热量损失
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