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高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件

         
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摘要

采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件.器件为面阵式结构,象元数目为32×32.对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1 μA/cm2,单点饱和输入光功率为1μW.测试瞬态响应,器件响应峰值上升沿为212 ps,半峰宽372 ps,对应响应频率大于1.65 GHz,具有很好的应用前景.%This paper reports a metal-semiconductor-metal ( MSM ) Schottky photodiode (MSM-PD) array as an optoelectronic self-mixer factured on the extension layer which is grown on GaAs by using low pressure metal organic chemical vapor deposition ( LP-MOCVD) method. There are 32 x 32 pixels in the device. Measured at 3 V biasing voltage, the responsivity of the device is 8. 25 A/W,the dark current is under 18 nA,the consistency of photocurrent is 59. 1 μA/cm2 and the input saturated power of light is 1 μW. Measuring the response to pulses,the risetime is 212 ps and the Full Wave at Half Maximum(FWHM)i9 372 ps,so the corresponding 3-dB bandwidth is 1.65 GHz.

著录项

  • 来源
    《激光与红外》 |2011年第8期|925-928|共4页
  • 作者

    张立臣; 汪韬; 尹飞; 杨瑾; 胡雅楠;

  • 作者单位

    中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;

    中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;

    中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;

    中国科学院研究生院,北京100039;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外线探测器件;
  • 关键词

    光电集成; 光电自混频器; 金属有机气象外延; GaAs-MSM;

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