MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜

刘斌; 张荣; 谢自力; 张禹; 李亮; 张曾; 刘启佳; 姚劲; 周建军; 姬小利; 修向前; 江若琏; 韩平; 郑有蚪; 龚海梅

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本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统（MOCVD）生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜（0．13〈x〈0．8）。扫面电子显微镜（SEM）照片表明生长的AlN插入层有效地调节了AlGaN层与GaN支撑层的应力，使AlGaN表面平整无裂纹，原子力显微镜（AFM）测量得到所有AlGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现，AlGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制，随Al组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射（RBS）两种方法确定AlGaN薄膜的Al组分，发现Al组分与摩尔比TMAl／（TMGa＋TMAl）关系为线性，说明在优化的生长条件下，Al原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。

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来源
《激光与红外》 |2007年第B09期|P.964-966,970|共4页
作者
刘斌; 张荣; 谢自力; 张禹; 李亮; 张曾; 刘启佳; 姚劲; 周建军; 姬小利; 修向前; 江若琏; 韩平; 郑有蚪; 龚海梅;
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作者单位

江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏南京210093;

北京科技大学物理系,北京100083;

中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
金属有机物化学汽相淀积; AlGaN; 薄膜生长;

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