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纳米CeO2磨料在硅晶片化学机械抛光中的化学作用机制

         

摘要

通过分析化学机械抛光过程中软质层的形成及其作用过程,研究了使用纳米CeO2磨料进行化学机械抛光时化学作用的机制.分析表明,软质层是抛光液与硅晶片反应形成的一层覆盖在基体表面的腐蚀层,其硬度比基材小,厚度在几个纳米左右.软质层的存在一方面增大单个磨料的去除体积,增加材料去除速率;另一方面能减小磨料嵌入硅晶片基体的深度,这对于实现塑性磨削,降低抛光表面粗糙度,提高抛光质量,以及改善抛光效果都有着重要的作用.

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