阴极直接制备铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜及其电化学形成机理

辜敏; 吴亚珍

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阴极直接制备铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜及其电化学形成机理

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以室温下制备出的n_(Cu)^(2+)∶n_(Cit)^(3-)=2∶1的透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_(2)复合溶胶为电解液,直接在氧化铟锡导电玻璃(ITO)阴极上电沉积得到铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜。循环伏安(CV)和X射线衍射(XRD)结果表明,溶胶中Cu^(2+)与吸附在电极上的SiO_(2)溶胶共电沉积形成Cu_(2)O-SiO_(2)凝胶薄膜,XRD和计时安培(CA)结果表明,薄膜中的SiO_(2)量随过电位升高而减少。X射线光电子能谱(XPS)、XRD和能量色散X射线(EDX)结果表明,高过电位下,SiO_(2)和Cu(Ⅱ)借助析氢生成的OH-共沉积,得到CuO/Cu_(2)O-SiO_(2)薄膜,这与扫描电子显微镜(SEM)图片显示的所得薄膜具有两种不同形貌的颗粒的结果一致。

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来源
《材料导报》 |2023年第5期|27-32|共6页
作者
辜敏; 吴亚珍;
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作者单位

重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室;

重庆大学资源及安全工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ153.14;
关键词
氧化亚铜-二氧化硅; 氧化铜/氧化亚铜-二氧化硅; 复合薄膜; 复合溶胶; 电化学形成;

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