稀磁掺杂Mnx Ge 1-x量子点的制备及应用

李广洋; 杨杰; 邱锋; 王荣飞; 王茺; 杨宇

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稀磁掺杂Mnx Ge 1-x量子点的制备及应用

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作为一种新兴的稀磁掺杂半导体材料,Mnx Ge1-x量子点的自旋电子学性能在最近几年内取得了较为重大的突破.本文针对现有Mnx Ge1-x量子点的稀磁掺杂制备方法及与制备方法相关联的磁电子学性能展开论述,并详细介绍了Mnx Ge1-x量子点在生长过程中Mn原子与生长表面之间的相互作用、形貌转变以及迄今为止对基于这种纳米材料进行的自旋电子学应用的尝试.最后,展望了Mnx Ge1-x量子点未来研究的重点和亟待解决的问题.

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来源
《材料导报》 |2018年第13期|2176-2182,2194|共8页
作者
李广洋; 杨杰; 邱锋; 王荣飞; 王茺; 杨宇;
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作者单位

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

云南大学材料科学与工程学院,昆明 650091;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
MnxGe1-x量子点; 掺杂; 铁磁性; 居里温度;

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