铁磁性

摘要： 多铁性材料是一种同时具有铁电、铁弹、铁磁等两种或者两种以上"铁性"的材料,可以通过多种序参量的耦合产生新的效应,在电子信息、传感、存储、无线网络等领域具备广阔的应用前景。当前在室温下具有强磁电耦合效应的多铁性材料仍然是学者们研究的重点,但基于多铁材料的器件还没有实现应用。应变工程是一种可以有效影响多铁材料物理性质的调控手段,通过晶格与电子、自旋、轨道等的相互作用来影响材料的电、磁、光、声等物理特性,因此通过应变调控多铁性薄膜结构和性能,受到了研究人员的广泛关注。本文通过调研多铁性材料中应变工程的研究,总结了应变调控手段及其对材料物理性能的影响,期望为多铁性材料的研究和发展提供研究思路。

摘要： 研究机械合金化工艺制备(CoCrFeNiMn)_(90)M_(10)(M=Al,Hf)高熵合金粉末的合金化行为和显微组织。(CoCrFeNiMn)_(90)Al_(10)粉末具有双相固溶体结构;而在(CoCrFeNiMn)_(90)Hf_(10)粉末中发现了非晶相及纳米晶HfNi_(3)相。(CoCrFeNiMn)_(90)Al_(10)粉末表现出更好的铁磁性能,这主要归因于双相共格界面易于诱导磁畴的运动。结合我们以前的工作,初步提出球磨态高熵合金粉末中固溶体和非晶相的形成规律。与已报道的铸态高熵合金规律相比,在球磨态高熵合金粉末中形成的固溶体相的混合焓随原子尺寸差变化的范围更宽。此外,高熵合金粉末中非晶相的混合焓或熵随原子尺寸差变化的范围比大块高熵金属玻璃的范围更宽。

摘要： 采用射频磁控溅射法制备了Mn掺杂ZnO(Zn1-x Mnx O,其中x=0,0.03,0.06)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉磁强计(SQUID)对薄膜结构和磁性能进行了研究.XRD和Raman研究表明,不同浓度Mn掺杂ZnO薄膜均为ZnO的六角纤锌矿结构,并沿(002)晶面择优取向,未检测到Mn以及与Mn相关的氧化物杂相.随着Mn掺杂浓度的增大,薄膜的结晶质量下降,晶粒尺寸减小.AFM研究结果与XRD和Raman结果相一致.SQUID测量表明Mn掺杂ZnO薄膜表现出室温铁磁性,Mn掺杂量x为0.03和0.06时,在1.59×106 A/m磁场下的磁化强度分别为0.12和0.18 A·m2/kg.随着Mn掺杂浓度的增大,磁化强度和矫顽力增大.基于XRD、Raman和AFM研究结果,可以认为Mn掺杂ZnO薄膜的铁磁性与杂相无关,属于样品的本征磁性.

摘要： 用Ansys静磁模块数值模拟了在外加强磁场环境下铁素体矩形通道管中心磁感应强度分布.与文献结果、解析解及实验数据的对比表明,模拟结果与它们基本一致.进一步的数值模拟还表明,铁素体矩形管对其内部的整体磁场分布影响较大,不同区域内产生不同程度的磁力线扭曲及非均匀的磁感应强度分布效应.该分布可能对管道内磁流体动力学效应产生较大影响.

摘要： 采用溶胶-凝胶法制备了Cr-Fe共掺CeO2(Ce0.99-xCrxFe0.01O2,x=0,0.01,0.02,0.03)纳米颗粒,对其结构及物相、形貌尺寸和磁学性能进行分析研究.XRD和Raman研究表明,Cr-Fe共掺CeO2纳米颗粒未破坏CeO2原有的立方萤石晶体结构,且样品中没有第二相出现.随着Cr掺杂浓度的增大,晶粒尺寸减小,结晶质量下降.SEM照片显示纳米颗粒呈球形,且尺寸均匀,分散性好,颗粒大小在20 nm左右.磁性测试结果表明,在磁场强度为10 kOe时,样品在低温(10 K)下的磁化强度大于室温(300 K).所有磁性测量都表现出磁滞现象,表明样品具有低温和室温铁磁性能.随着Cr掺杂量的增加,矫顽力及在磁场强度为10 kOe时的磁化强度明显提高.结合XRD和Raman研究结果,可以认为样品的铁磁性属于Cr-Fe共掺CeO2纳米颗粒的本征性能.

摘要： 本文使用恒温超声处理和低温退火两步法合成了钾掺杂4-苄基联苯分子晶体,并对其磁学特性进行了研究。磁化强度–磁场曲线的测试结果表明样品在低于200 K的温度条件下表现铁磁性,磁化率测试和X射线衍射测试则表明样品是一种纳米磁体材料,晶粒尺寸约为25 nm。拉曼光谱的红移现象证实了钾将4s电子转移到4-苄基联苯分子上,而且电荷的转移是形成局域磁矩的重要原因。本工作对于碱金属掺杂有机芳香烃分子的合成制备以及磁性研究具有重要的借鉴作用。

摘要： 以乙醇胺和乙二胺为混合溶剂,通过简单溶剂热法,用S,ZnO和CdO为源,成功制备了不同量Cr掺杂ZnS和CdS半导体纳米结构.X-射线衍射测试表明,纳米结构ZnS和CdS具有纤锌矿结构.扫描电子显微镜给出了不同铬含量的ZnS和CdS的形貌.用电子能量散射谱观察到产物的成分为Cr,Zn,Cd和S.振动样品磁强计测量表明,Cr掺杂的ZnS在室温下表现出铁磁性,而未掺杂的ZnS在室温下表现出抗磁性.掺杂的ZnS纳米片(Cr原子百分比为4.31％和7.25％)饱和磁化Ms分别为2.314×10-3和5.683×10-3 emu/g(1 emu/g=10-3 A·m2/g),矫顽力Hc为54.721,和88.441 Oe(1 Oe=103/4πA/m).未掺杂CdS的铁磁性很弱,而Cr掺杂CdS的铁磁性较强.CdS纳米片(Cr原子百分比分别为0,1.84％和2.12％)的饱和磁化Ms分别为0.854×10-3,2.351×10-3和7.525×10-3 emu/g,矫顽力Hc为74.631,114.372和64.349 Oe.实验结果表明,在室温下,Cr掺杂ZnS具有铁磁性,这与第一性原理计算的Cr掺杂ZnS的铁磁性结果一致.Cr掺杂CdS的铁磁性起源与CdS晶格中Cr的掺杂有关.

摘要： 对脉冲涡流现场检测进行了分析.通过对运行中有包覆层(内有铁磁性夹杂物)的管道、有包覆层(无铁磁性夹杂物)和裸管进行检测对比,并对检测标定部位进行讨论.介绍了脉冲涡流检测的工作原理、检测注意事项、检测结果如何保证精确度等问题.在有铁磁性干扰下脉冲涡流腐蚀扫查存在误差,脉冲涡流具有较高的灵活性,配合超声测厚可达到较高准确性.

摘要： 元素钴在化学周期表中排27号,是一种金属元素,质地硬而脆。其熔点达到1500摄氏度左右,沸点约3100摄氏度,相对密度8.9,摩氏硬度5〜5.5。钴有很多特性,其在高温下能够保持较高的强度,并且具有较低的导热性和导电性以及较强的铁磁性。

摘要： 采用直流磁控溅射法制备有序多孔氧化铪(HfO_(2))薄膜,讨论了不同氧流量制备条件所得样品的室温铁磁性.氧流量为4.67×10^(-8) m^(3)/s时,制备态HfO_(2)薄膜的饱和磁化强度(Ms)值可高达58 kA/m.实验结果表明,不同氧流量制备条件所获得的薄膜样品,因氧空位的浓度的不同其室温铁磁性有明显差异.该研究有助于理解非掺杂氧化物室温铁磁性的来源,也提出了一种可以改变HfO_(2)中氧空位缺陷的浓度的方法,为改善其性能提供了一种有效的途径.

摘要： 本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d0铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外,在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜,其光学带隙及磁性随着氧氩流量比的增大呈非单调变化。当氧氩流量比达到15∶15时导电类型由n型转变为p型。结构、光、电、磁特性的一致变化表明氧空位和铟空位分别在n型和p型导电区域对调节铁磁性起重要作用。

摘要： 随着稀磁半导体(DMS)研究的深入，在不掺杂磁性元素的氧化物中发现了室温铁磁性。其起源颇为复杂，尚不完全清楚。最近，Sundaresaa等人在CeO2纳米颗粒中首次发现室温铁磁性，并且将磁性来源归于样品表面未成对电子自旋的相互作用。随后，Yinglin Liu等人也观测到CeO2纳米颗粒的室温铁磁性，但是发现磁性并未与样品中的氧空位有关。本文用共沉淀法制备了直径约5nm的CeO2颗粒，将样品在H2中退火以便在样品表面产生氧空位，然后测量其磁性，以验证CeO2的磁性是否与表面氧空位有关。

摘要： 自旋电子学是近年来凝聚态物理研究最热的课题之一，有效的操纵和控制电子的电荷与自旋，是科学家们不断追求的目标。但是，十多年来，在对半导体进行载流子的自旋极化注入方面的研究上，一直都没有突破性的进展，直到室温稀磁半导体的发现，由于它能够解决目前存在的自旋极化注入的问题，从而引起了科学家们极大的兴趣。本文在充分调研的基础上，对氧化物稀磁半导体室温铁磁性的起源进行了大量而系统的研究。

摘要： 现代自旋电子学的应用对以二维金属硫化物为基底的纳米薄片有很大的需求.在这里,基于第一性原理预言了一种二维异质结构Co/MoS2,这种异质结由单层Co原子吸附在单层的MoS2表面构成,并且具有铁磁性和半金属性.研究还发现,当它的表面覆盖一层石墨烯时,它仍然具有铁磁性和半金属性.鉴于Co原子在MoS2表面具有相对较高的束缚能和低的聚集率,预言这种异质结构能够通过低能溅射沉积法来合成.

摘要： 本文对磁控溅射法制备的外延Sn1-xMgxO2薄膜的光学性质和室温铁磁性进行了研究。分析结果表明薄膜样品的可见光透射率均高于80％,随着Mg的掺入样品的磁性和光学带隙显现出明显的变化,替代位的Mg以及间隙位的Mg是两个主要的影响因素。对Sn0.84Mg0.16O2样品进行不同温度的空气退火处理,发现退火温度高于750°C会导致样品的磁性逐渐减弱,结构分析表明随着退火温度升高,薄膜结构将由SnO2(100)转化为Mg2SnO4(111)的氧化物合金结构。

摘要： 用钴锂共注入方法制备znCoO:Li,锂/钴离子能量分别为50 keV和400 keV,剂量分别为1×1016 cm-2和5×1016 cm-2.共注入的氧化锌薄膜在700°C氧气氛退火.铁电性测量得到样品的剩余电极化强度为10.2μC/cm2,矫顽电场为24.8 kV/cm.磁性测试得到其饱和磁化强度为11.4×10-5emu,矫顽磁场为67Oe.样品的铁电性由寄主阳离子和掺杂离子的半径差异来解释,而其磁性归因于电子和缺陷诱导的束缚磁极化子效应.

摘要： 用磁控溅射法制备了Cu-SiC复合薄膜，研究了Cu掺杂SiC薄膜的微观结构和磁性，沉积态样品都是抗磁性的，随着退火温度的升高，样品出现从抗磁性到铁磁性的转变。进一步升高退火温度，当达到800°C时，样品铁磁性最强。在800°C下，随着Cu掺杂含量的增加，饱和磁化强度明显增加，Cu的掺杂含量为3 at.％时，样品具有最大饱和磁化强度为2.3 emu／cm3。通过第一性原理计算发现Cu掺入后，C的p轨道和Cu的d轨道之间存在强烈p-d耦合，使电子产生了自旋劈裂，体系的磁矩主要局域在C原子的2p轨道。

摘要： 采用离子注入和共蒸发方法制备CdMnTe和CdMnS，研究其结构和电极化强度～电压特性，其中共蒸发形成的CdMnS薄膜呈六角多晶结构，测得CdMnS的剩余极化强度Pτ为1.72μC/cm2，矫顽场强Ec为14.3kV/cm。在Au掺杂的CdMnS样品中观测到铁磁性，居里点超过300K。在10K低温磁滞回线中，得到其剩余磁化强度和磁矫顽力分别为1.39x10-6emu和75.4高斯；同时在室温也观察到磁滞回线。磁力显微镜测试观察到了大小从几个纳米到一百纳米的磁性团簇，掺杂元素的浓度对其磁性影响较大。

摘要： 由于在自然界中单相多铁材料较为稀少,因此制备单相多铁材料具有重要意义.本研究使用溶胶凝胶法成功制备了单相多铁薄膜，通过对铁磁氧化物进行离子对掺杂,使铁磁氧化物获得铁电性,即制得了一种新型单相多铁材料.通过XRD表征发现Li+-Al3+离子对在晶格中沿110面分布,同时通过PFM表征发现了掺杂薄膜的铁电畴.研究表明,通过向CoFe2O4单相薄膜中掺杂Li+-Al3+离子对替代部分Co2+离子,制得了一种新型的单相多铁材料;当掺杂量为0.10时,薄膜的剩余极化强度和剩余磁化强度分别为5μC/cm2和87emu/cm3.

摘要： 由于在自然界中单相多铁材料较为稀少,因此制备单相多铁材料具有重要意义.本研究使用溶胶凝胶法成功制备了单相多铁薄膜，通过对铁磁氧化物进行离子对掺杂,使铁磁氧化物获得铁电性,即制得了一种新型单相多铁材料.通过XRD表征发现Li+-Al3+离子对在晶格中沿110面分布,同时通过PFM表征发现了掺杂薄膜的铁电畴.研究表明,通过向CoFe2O4单相薄膜中掺杂Li+-Al3+离子对替代部分Co2+离子,制得了一种新型的单相多铁材料;当掺杂量为0.10时,薄膜的剩余极化强度和剩余磁化强度分别为5μC/cm2和87emu/cm3.

摘要： 提供由颗粒组成的磁性粉末，颗粒具有平衡的形状和分布，颗粒具有小的均一的体积，可以获得涂层类型磁性记录介质提高的密度和可靠性。磁性粉末具有Fe作为主要组分，由颗粒组成，其中颗粒具有垂直于颗粒长轴并基本上是圆形或椭圆形的横截面，其中表明其横截面积变化的几何标准偏差在1.01-3.0范围内，本发明也涉及磁性粉末，其中表明其颗粒体积变化的几何标准偏差在1.01-4.0范围内，且表明扁平针形度变化的几何标准偏差在1.01-2.0范围内。

摘要： 提供由颗粒组成的磁性粉末，颗粒具有平衡的形状和分布，颗粒具有小的均一的体积，可以获得涂层类型磁性记录介质提高的密度和可靠性。磁性粉末具有Fe作为主要组分，由颗粒组成，其中颗粒具有垂直于颗粒长轴并基本上是圆形或椭圆形的横截面，其中表明其横截面积变化的几何标准偏差在1.01－3.0范围内，本发明也涉及磁性粉末，其中表明其颗粒体积变化的几何标准偏差在1.01－4.0范围内，且表明扁平针形度变化的几何标准偏差在1.01－2.0范围内。

摘要： 检测铁磁性、亚铁磁性、顺磁性或抗磁性材料磁化响应的一种方法和设备，该设备包括一产生交变磁场的装置。交变磁场的周期包括第一磁化脉冲和第二去磁脉冲，磁化脉冲的含能量与去磁脉冲的含能量大致相等，磁化脉冲的持续时间大致上比磁化脉冲的周期长，去磁脉冲的磁场强度比磁化脉冲的大。用磁场检测器测定交变磁场对待测试的材料的影响。磁场检测器产生电信号，这些电信号馈到示被器、比较器或计算机上进行分析。

摘要： 本发明涉及一种用于借助于MRI系统(50)确定在对象中或者液体基质中的至少一个铁磁性的颗粒的位置的方法，其中，将MRI测量序列应用到所述颗粒所处的测量体积(52)上，其特征在于，每个空间方向拍摄至少两个投影，其中，为了相应地拍摄一个一维投影而分别切换到一个读取梯度，其中，针对两个投影中的每个投影分别改变预选择的参数，并且借助于所述两个投影来确定铁磁性的颗粒的空间位置。这能实现更可靠地并且更准确地确定铁磁性的颗粒或者铁磁性的颗粒束在液体基质中的位置，其中，所述位置确定在相当短的时间内进行并且在此仅必须施加相当小的脉冲功率。

摘要： 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。

摘要： 采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度的调整及由此等稀土类金属的2种以上的金属的组合，由p型及n型掺杂剂记的添加等，可调整铁磁性特性。

摘要： 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。

摘要： [课题]提供非磁性的α型铁系氧化物的含量减少了的、用其它金属元素置换了ε‑Fe2O3的一部分Fe位点的置换型ε氧化铁磁性粒子粉和置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法。[解决手段]将包含3价铁离子和待置换一部分Fe位点的金属的离子的酸性水溶液中和至pH2.0以上且7.0以下后，向包含所生成的含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者包含羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物的分散液添加具有水解基团的硅化合物，接着将分散液中和至pH8.0以上后进行保持和熟化，将硅化合物的化学反应生成物被覆于含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物并进行加热，由此得到α型铁系氧化物的含量减少了的置换型ε氧化铁磁性粒子粉。

摘要： [课题]提供非磁性的α型铁系氧化物的含量减少了的、用其它金属元素置换了ε‑Fe2O3的一部分Fe位点的置换型ε氧化铁磁性粒子粉和置换型ε氧化铁磁性粒子粉的制造方法。[解决手段]将包含3价铁离子和待置换一部分Fe位点的金属的离子的酸性水溶液，中和至pH2.0以上且7.0以下后，向包含所生成的含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物的分散液添加具有水解基团的硅化合物，接着将分散液中和至pH8.0以上后进行保持和熟化，将硅化合物的化学反应生成物被覆于含有置换金属元素的羟基氧化铁、或者羟基氧化铁和置换金属元素的氢氧化物的混合物并进行加热，由此得到α型铁系氧化物的含量减少了的置换型ε氧化铁磁性粒子粉。

摘要： 本实用新型涉及物料净化技术领域，公开了一种铁磁性物质去除装置以及铁磁性物质去除系统，所述铁磁性物质去除装置包括箱体，所述箱体内限定有腔室，所述箱体的壁上设置有分别供含有铁磁性物质的物料进出所述腔室的进料口和出料口，所述铁磁性物质去除装置还包括设置于所述腔室内的安装套管和可拆卸设置于所述安装套管内的能够吸引所述物料中的铁磁性物质的磁性件，所述安装套管在所述磁性件的作用下能够吸附所述物料中的铁磁性物质。该铁磁性物质去除装置设置有供能够吸附铁磁性物质的磁性件可拆卸安装的安装套管，在物料排出后，磁性件能够从安装套管中拆取出，便于清理吸附于安装套管的铁磁性物质。