退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理

贺凯; 陈诺夫; 魏立帅; 王从杰; 陈吉堃

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为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征.分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100 nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99％以上的Ge薄膜.

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来源
《材料导报》 |2018年第15期|2571-2575|共5页
作者
贺凯; 陈诺夫; 魏立帅; 王从杰; 陈吉堃;
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作者单位

华北电力大学可再生能源学院,北京 102206;

华北电力大学可再生能源学院,北京 102206;

华北电力大学可再生能源学院,北京 102206;

华北电力大学可再生能源学院,北京 102206;

北京科技大学材料科学与工程学院,北京 100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜太阳能电池;
关键词
磁控溅射; 常规热退火; 铝诱导结晶; 锗薄膜; 多结太阳电池;

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