退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陈彩云; 戴丹; 陈国新; 巩金瑞; 江南; 詹肇麟;
昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;
中国科学院宁波工业技术研究院,宁波315201;
石墨烯; 电学性能; 制备; 绝缘衬底;
机译:Ga和As从半绝缘GaAs衬底向MOCVD生长的ZnO薄膜中的异常扩散与退火温度的关系及其对电荷补偿的影响
机译:锗衬底取向对CVD法生长石墨烯的形态和结构性能的影响
机译:石墨烯在SiC(0001)上的CVD生长:衬底截止的影响
机译:金属掩模对多晶铜衬底上石墨烯CVD生长中畴尺寸的影响
机译:在SiO 2衬底上通过剥落的石墨烯种子进行CVD生长石墨烯。
机译:在重要的电介质和半导体衬底上直接CVD生长石墨烯
机译:Ga和As从半绝缘GaAs衬底到MOCVD生长的ZnO薄膜中的异常扩散与退火温度的关系及其对电荷补偿的影响
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻
机译:衬底石墨烯生长的制造方法及衬底石墨烯生长的制造装置
机译:衬底石墨烯生长的制造方法及衬底石墨烯生长
机译:不使用金属催化剂的衬底石墨烯生长的制造方法和不使用金属催化剂的衬底石墨烯生长的制造装置
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。