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基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法

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摘要

本发明公开了一种基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法，主要解决现有技术对石墨烯转移耗时，铜衬底浪费的问题。其实现步骤是：（1）将a面碳化硅置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室，通入镓源与氨气，生长a面GaN；（2）利用电子束蒸发在GaN上沉积Cu薄膜；（3）通入H

1. 基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法 [P] . 中国专利： CN103606514B . 2016.01.13
2. 基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 [P] . 中国专利： CN102903617B . 2015.09.09
3. Epitaxial growth substrate, method of manufacturing a GaN-based semiconductor layer, GaN-based semiconductor layer, GaN-based semiconductor manufacturing method of the light emitting device and GaN-based semiconductor light-emitting element [P] . 日本专利： JP5532930B2 . 2014-06-25

机译：外延生长衬底，GaN基半导体层的制造方法，GaN基半导体层，发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
4. GaN semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the GaN semiconductor substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1630878B1 . 2017-10-18

机译： GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
5. GaN semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the GaN semiconductor substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1630878A3 . 2011-05-04

机译： GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件