GaAs(001)表面重构

罗子江; 周勋; 王继红; 郭祥; 丁召

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GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持.

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来源
《材料导报》 |2014年第9期|15-19,29|共6页
作者
罗子江; 周勋; 王继红; 郭祥; 丁召;
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作者单位

贵州财经大学教育管理学院,贵阳550004;

贵州大学理学院,贵阳550025;

贵州大学理学院,贵阳550025;

贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001;

贵州大学理学院,贵阳550025;

贵州大学理学院,贵阳550025;

贵州大学理学院,贵阳550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;半导体物理学;
关键词
RHEED; STM; GaAs(001); 表面重构;

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